光大中镓半导体荣获评全国“成长性创新型企业”

　　第三届中国自主创新年会4月18日在北京人民大会堂举行。东莞市荣获2012年最具成长性创新型城市称号，光大集团旗下子公司——东莞市中镓半导体科技有限公司荣获2012年度最具成长性创新型企业称号。东莞市委副书记、市长袁宝成，东莞市中镓半导体科技有限公司董事长陈健民出席会议并接受颁奖。

　　光大中镓入选最具成长性创新型企业

　　会上，东莞市中镓半导体科技有限公司入选2012年度最具成长性创新型企业。东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年，是国内首家专业生产氮化镓衬底材料的企业，有效地填补了我国半导体上游行业的空白，为推动东莞LED产业的转型升级做出了表率。

　　公司董事长陈健民介绍，中镓公司以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，拥有若干核心发明专利，创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，成功开发出高品质的GaN衬底系列产品并已进入批量生产。同时，中镓公司创新性地提出将前期研发、中试研究、产业化应用三者相结合的模式，避免了国内技术长期存在的研发成果无法转化的问题，有效促进科研水平的提高，促使科研成果效益实现最大化。

　　这次入选2012年度最具成长性创新型企业的东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年，是国内首家专业生产氮化镓衬底材料的企业，有效地填补了我国半导体上游行业的空白，为推动东莞LED产业的转型升级做出了表率。据该公司董事长陈健民介绍，中镓公司以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，拥有若干核心发明专利，创造性地采用MOCVD技术、激光剥离技术、HVPE技术相结合的方法，成功开发出高品质的GaN衬底系列产品并已进入批量生产。同时，中镓公司创新性地提出将前期研发、中试研究、产业化应用三者相结合的模式，避免了国内技术长期存在的研发成果无法转化的问题，有效促进科研水平的提高，促使科研成果效益实现最大化。